[15p-A24-1~10] 太陽光水素製造触媒の材料と物理

[15p-A24-10] GaNにおけるOpen-Circuit-Potential (OCP)の光強度依存性と表面処理の効果

〇岩井 耀平¹、中村 亮裕¹、小池 佳代¹、中野 義昭¹、藤井 克司²、杉山 正和¹ (1.東大工、2.北九州市大)

キーワード：半導体、光触媒、水分解

我々はn型GaNアノード電極におけるキャリアの振る舞いへの表面修飾の効果を解析する手法を提案する. Open-Circuit-Potential (OCP) をNaOH中でXeランプの光強度の関数として測定した. OCP の解析によって半導体光電極の表面再結合中心の密度と表面準位について考察することができ，今後I-V 特性との詳細な比較によって光電極の表面における物理と化学の解明に有用と思われる.