[15p-A24-1~10] 太陽光水素製造触媒の材料と物理

[15p-A24-7] n型GaN光電気化学水酸化反応における半導体－電解液界面のキャリア移動モデルとその物理

〇藤井 克司^1,2,3、小池 佳代²、後藤 武生³ (1.北九大環境研、2.東大工、3.理研)

キーワード：光電気化学反応、n型GaN、水分解水素生成

n型半導体を用いた光電気化学反応による水の酸化反応での半導体―電解液界面におけるキャリア移動や反応機構は半導体の表面に存在する界面準位が関係しているといわれている。この水の酸化反応に関与していると考えられる中間準位についてn型GaNを例に、半導体側の性質を中心にフォトルミネッセンス（PL）の手法を用いて調べた結果を議論する。