PDF ダウンロード スケジュール 27 いいね! 0 コメント (0) 17:00 〜 17:15 [15p-A24-9] イオン注入によって作製したGaVNの電気化学特性 〇田邉 真一1、ジア チンシン1、熊 諳珂1、脇 一太郎1 (1.昭和シェル中研) キーワード:GaN、イオン注入 GaNにイオン注入によってVをドープしたGaVNを作製し、可視光照射による酸化還元反応由来の光誘起電流の観測を通して、GaVNが可視光応答型光触媒として機能するか検証した。