The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.1 Carbon nanotubes & other nanocarbon materials

[15p-A25-1~17] 17.1 Carbon nanotubes & other nanocarbon materials

Thu. Sep 15, 2016 1:15 PM - 5:45 PM A25 (202)

Yoshihiro Kobayashi(Osaka Univ.), Takayuki Arie(Osaka Pref. Univ.)

4:15 PM - 4:30 PM

[15p-A25-12] Effects of Al2O3 buffer layers on Single-Walled Carbon Nanotubes Growth: Influence of fabrication method of Al2O3 buffer layers

Hoshimitsu Kiribayashi1, Seigo Ogawa1, Takayuki Hujii1, Takahiro Saida1, Shigeya Naritsuka1, Takahiro Maruyama1 (1.Meijo Univ.)

Keywords:SWCNT, rhodium, aluminum oxide

CVD法におけるSWNT成長では,バッファ層としてAl2O3が広く用いられているが、Al2O3バッファ層による触媒活性化のメカニズムは未だ明らかではない。本研究では,種々の手法により作製したAl2O3バッファ層上にRh触媒を堆積させてSWNT成長を行い,Al2O3バッファ層の結晶性の違いがSWNT生成量に与える影響を調べ,触媒活性化のメカニズムについて考察した。