[15p-A25-1~17] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[15p-A25-12] Rh触媒からのSWNT成長におけるAl₂O₃バッファ層の効果：バッファ層の作製法による影響

〇桐林 星光¹、小川 征悟¹、藤井 貴之¹、才田 隆広¹、成塚 重弥¹、丸山 隆浩¹ (1.名城大理工)

キーワード：単層カーボンナノチューブ、ロジウム、アルミナ

CVD法におけるSWNT成長では，バッファ層としてAl₂O₃が広く用いられているが、Al₂O₃バッファ層による触媒活性化のメカニズムは未だ明らかではない。本研究では，種々の手法により作製したAl₂O₃バッファ層上にRh触媒を堆積させてSWNT成長を行い，Al₂O₃バッファ層の結晶性の違いがSWNT生成量に与える影響を調べ，触媒活性化のメカニズムについて考察した。