[15p-A25-1~17] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

△ [15p-A25-3] 電圧印加による水平配向単層カーボンナノチューブギャップの一方向エッチング

〇大塚 慶吾¹、井ノ上 泰輝¹、千足 昇平¹、丸山 茂夫^1,2 (1.東京大工、2.産業技術総合研究所)

キーワード：単層カーボンナノチューブ、電界効果トランジスタ、電気的ブレイクダウン

単層カーボンナノチューブ（SWNT）の電気的ブレイクダウンは，電界効果トランジスタの短絡パス切断やナノギャップ電極作製に用いられてきたが，ギャップ形成機構などは十分に理解されていない．本研究では，電気的ブレイクダウンによって形成されたSWNTのナノギャップが電圧印加によってさらに拡大することを観察した．ギャップ形成機構を考察するとともに，この現象がSWNTの幅広い応用において重要な役割を果たすことを説明する．