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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 ナノ構造・量子現象

[15p-A26-1~8] 13.7 ナノ構造・量子現象

2016年9月15日(木) 15:45 〜 17:45 A26 (203-204)

宮澤俊之(東大)

16:15 〜 16:30

[15p-A26-3] InGaAs量子ドットと積層したバリア層のスピン輸送特性に対する成長温度の影響

〇板橋皓大¹、武石一紀¹、浦部晶行¹、高山純一¹、Chen Shula²、村山明宏¹ (1.北大院情報科学、2.リンショーピン大学)

キーワード：半導体量子ドット、スピン輸送