[15p-A26-1~8] 13.7 ナノ構造・量子現象

[15p-A26-5] SiドープによるInAs量子ドットの仕事関数変化

〇(M2)小林 知弘¹、高林 紘¹、下村 憲一¹、Zhang Yuwei¹、山田 郁彦¹、神谷 格¹ (1.豊田工大)

キーワード：量子ドット、仕事関数、歪

InAs量子ドット(QD)はサイズを大きくすると導電性が生じることが見出され、ナノ電極に応用する研究が行われている。この変化の一つの可能性として、表面InAs QDの仕事関数測定から観測される仕事関数凹部(dip)が挙げられる。既に我々はdip形成や仕事関数の局所的な変化がInAs QD内の歪に関連した分極に依存する可能性を報告しており、今回は分極による仕事関数変化の妥当性を検証するために、SiをドープしたInAs QDの局所的な仕事関数測定を行った。