[15p-A26-1~8] 13.7 ナノ構造・量子現象

[15p-A26-8] InP(311)B面上に成長したInAs量子ドットの電気伝導特性

〇和田 直樹¹、張 亜¹、吉田 健治¹、赤羽 浩一²、平川 一彦^1,3 (1.東大生研、2.情報通信研究機構、3.東大ナノ量子機構)

キーワード：量子ドット、単一電子トランジスタ

従来から、GaAs基板上にInAs量子ドット(QD)を自己組織的に作製し、その諸特性が測定されてきたが、InとGaとのIntermixingが生じるという問題があった。本研究では、In-Ga intermixingを低減することを狙い、InP(311)B基板上にInAs QDを自己組織的に作製し、単一QDの示す電気伝導である、単一電子トランジスタの動作特性を評価した。