[15p-A33-1~19] 17.2 Graphene

△ [15p-A33-11] Opening a Gap in Graphene by Uniaxial Local Strain

〇Hikari Tomori^1,2, Masahiko Hayashi³, Hideo Yoshioka⁴, Kenji Watanabe⁵, Takashi Taniguchi⁵, Youiti Ootuka¹, Akinobu Kanda¹ (1.Univ. Tsukuba, 2.PRESTO-JST, 3.Akita Univ., 4.Nara Women's Univ., 5.NIMS)

Keywords:graphene, strain

グラフェンには格子ひずみによって電子がベクトルポテンシャルを感じるという特殊な性質がある。このひずみ誘起ベクトルポテンシャルの空間分布を制御することで、本来金属伝導を示すグラフェンにギャップを生成できることが理論的に予測されており、ひずみを導入したグラフェンのナノエレクトロニクス応用の可能性が示唆されている。我々は局所１軸ひずみによるギャップ生成に着目し、hBN薄膜に挟み込んだグラフェンにおいて実験を行った。