[15p-A33-1~19] 17.2 グラフェン

△ [15p-A33-11] 局所１軸ひずみによるグラフェンへのギャップ生成

〇友利 ひかり^1,2、林 正彦³、吉岡 英生⁴、渡邊 賢司⁵、谷口 尚⁵、大塚 洋一¹、神田 晶申¹ (1.筑波大数理物質、2.PRESTO-JST、3.秋田大教育文化、4.奈良女子大理、5.物材機構)

キーワード：グラフェン、ひずみ

グラフェンには格子ひずみによって電子がベクトルポテンシャルを感じるという特殊な性質がある。このひずみ誘起ベクトルポテンシャルの空間分布を制御することで、本来金属伝導を示すグラフェンにギャップを生成できることが理論的に予測されており、ひずみを導入したグラフェンのナノエレクトロニクス応用の可能性が示唆されている。我々は局所１軸ひずみによるギャップ生成に着目し、hBN薄膜に挟み込んだグラフェンにおいて実験を行った。