[15p-A33-1~19] 17.2 Graphene

△ [15p-A33-13] GNR-FET characteristic variation due to edge-disorder of graphene nanoribbons

〇(D)Kengo Takashima¹, Takahiro Yamamoto¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:graphene, FET, disorder

大規模計算により、グラフェンナノリボン（GNR）をチャネル材料とした電界効果トランジスタ（FET）を作成する際に、GNRの端欠陥が及ぼす影響を調べた。その結果、ある欠陥濃度を超えると、オン電流値は急激に低下するとともに、オン電流と閾値電圧のバラつきも急激に大きくなることが明らかとなった。さらに、これらの現象は量子力学的な干渉効果による局在現象が深く関係することを解明した。