[15p-A34-1~19] 13.10 Compound solar cells

[15p-A34-10] Plane-view TEM of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at RT

〇Yutaka Ohno¹, Jianbo Liang², Naoteru Shigekawa² (1.IMR, Tohoku Univ., 2.GSE, Osaka City Univ.)

Keywords:surface-activated bonding, Si/GaAs interface, TEM

真空中でのAr原子ビーム照射によりSi基板とGaAs基板の表面を活性化させることで、常温でのSi/GaAsヘテロ接合が実現できる[1]。この接合界面を接合面に垂直に（平面）TEM観察し、界面構造を評価した。界面上に転位や介在物、ボイドなどの大きな構造欠陥は存在せず、接合以前より存在するGaAs基板を貫通する転位の端部が局所的に観察された。これらの結果は、平坦かつ良質な接合面の形成を示す。
[1] J. Liang, L. Chai, S. Nishida, M. Morimoto and N. Shigekawa, Jpn. J. Appl. Phys. 54 (2015) 030211.