[15p-A34-1~19] 13.10 化合物太陽電池

[15p-A34-13] エピタキシャルリフトオフ法により分離したGaAs基板の表面清浄化手法の検討

〇木村 大希^1,2、宮下 直也¹、渡辺 健太郎¹、ハッサネット ソダーバンル¹、中田 達也^1,2、杉山 正和²、岡田 至崇^1,2 (1.東大先端研、2.東大工)

キーワード：エピタキシャルリフトオフ

GaAs系太陽電池では高い変換効率が得られ、普及に向けて低コストの技術開発が進んでいる。そこでエピタキシャルリフトオフ（Epitaxial lift-off,ELO）技術を用い、太陽電池層とGaAs基板を分離することにより基板の再利用が可能となることから、セルコストの低減に期待されている。本研究ではELO後の基板上への再成長を可能とするための表面清浄化手法の検討を行った。