[15p-A34-1~19] 13.10 Compound solar cells

△ [15p-A34-15] HAXPES measurements of GaAs thin film/Si junctions-effects of annealing on electrical properties

〇(M2)shoji yamajo¹, Tomoki Ogawa¹, Sanji Yoon¹, Jianbo Liang¹, Hassanet Sodabanlu², Kentaro Watanabe², Masakazu Sugiyama², Akira Yasui³, Eiji Ikenaga³, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.Tokyo Univ., 3.JASRI)

Keywords:Multi-junction solar cell, Surface Activated Bonding, HAXPES

我々は表面活性化ボンディング法を用いて多接合型太陽電池を作製し、太陽電池の変換効率向上を目指している。今までの研究から我々は接合時のAr照射による界面でのアモルファス層の形成が変換効率の減少につながると考えている。しかし、接合界面の電子状態の変化は未解明な部分が多い。そこで我々は硬X線光電子分光法を用いて界面の電子状態の評価を行った。