[15p-A34-1~19] 13.10 Compound solar cells

[15p-A34-4] Control of InAs quantum dot structures in AlGaAs matrix toward high-efficiency quantum dot solar cells

〇Hirofumi Yoshikawa^1,2,3, Katsuyuki Watanabe^1,2, Teruhisa Kotani^1,2,3, Satoshi Iwamoto^1,2, Makoto Izumi³, Yasuhiko Arakawa^1,2 (1.NanoQuine, Univ. of Tokyo, 2.IIS, Univ. of Tokyo, 3.SHARP)

Keywords:quantum dot, solar cell, intermediate band

中間バンド型量子ドット太陽電池は超高効率太陽電池として期待されている。今回我々は、母体材料として用いる高品質なAl_0.32Ga_0.68As(~1.9 eV：単一中間バンド型太陽電池の母体材料バンドギャップの最適値)の成長条件を確立するとともに、InAs量子ドット構造を形成し、キャップ層厚みを変えることで中間準位のエネルギー位置の制御が可能であることを明らかにしたので、報告する。