The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

7 Beam Technology and Nanofabrication » 7.2 Applications and technologies of electron beams

[15p-B5-1~19] 7.2 Applications and technologies of electron beams

Thu. Sep 15, 2016 1:15 PM - 6:45 PM B5 (Exhibition Hall)

Yoichiro Neo(Shizuoka Univ.), Tadahiro Kawasaki(JFCC), Kazuo Yamamoto(JFCC)

6:30 PM - 6:45 PM

[15p-B5-19] Measurement of fogging electron with accelerating voltage in SEM

Yoshifumi Hagiwara1,2, Taku Noda1,2, Masatoshi Kotera1, Raynald Gauvin2 (1.Osaka Institute of Technology, 2.McGill University)

Keywords:scanning electron microscope, electron beam, charging phenomenon

SEMにおける帯電現象については多く議論されてきたが、照射部分の局所的な帯電のほかに、フォギング電子による大局的帯電が見られることがわかってきた。フォギング電子とは電子ビームが試料表面で反射され、対物レンズ底との間で多重衝突を起こし、ビーム照射点からcmオーダー以上に広がる電子である。本研究は、フォギング電子電流の空間分布を測定することによって、電子顕微鏡法に与える影響を定量化することを目的としている。