[15p-B8-1~14] CS.3 3.14光制御デバイス・光ファイバー，3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[15p-B8-5] in-situ Bドーピングした歪SiGe層を用いたSi光変調器の検討(Ⅱ)

〇藤方 潤一¹、野口 将高¹、韓 在勲²、高橋 重樹¹、竹中 充²、中村 隆宏¹ (1.光電子融合基盤技術研究所、2.東京大学)

キーワード：シリコン光変調器、歪SiGe

Siベースの空乏化型PN接合Si光変調器に，in-situ Bドーピングした歪SiGe層を適用し，膜厚および組成を最適化することにより，従来の空乏化型Si光変調器に比較して，高い光変調効率(V_pL:0.6-0.67Vcm)と低光損失(1.2-1.5dB/mm)，さらに低電圧駆動による28Gbps高速動作を実現した．