[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-C302-11] n型4H-SiC中SSF起因フォトルミネッセンスの時間分解測定

〇加藤 正史¹、片平 真哉¹、市川 義人¹、市村 正也¹、原田 俊太² (1.名工大、2.名大)

キーワード：フォトルミネッセンス、積層欠陥、時間分解

4H-SiC中のSingle Schockley stacking fault (SSF)は、Recombination enhanced dislocation glide (REDG)現象を起こし、面積が拡張することが知られている。しかし、SSFのREDGがなぜ起こるのかは十分に解明されていない。そこで本研究では、n型4H-SiCのSSF起因フォトルミネッセンスに対して時間分解測定を実施した。