[15p-C302-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15p-C302-12] Dependence of surface recombination for 4H-SiC on pH of contacted aqueous solution

〇(M2)Yoshihito Ichikawa¹, Kato Masashi¹, Ichimura Masaya¹, Kimoto Tsunenobu² (1.NIT, 2.Kyoto Univ.)

Keywords:SiC, surface recombination, pH

SiCは超高耐圧バイポーラデバイスもしくは水素生成用光電極などへの応用が期待されている。それらの応用においてキャリアライフタイムはデバイス性能を左右する重要な要素であり, また表面再結合はキャリアライフタイムに影響を与える。我々は以前、n型4H-SiCでは酸性の水溶液との接触が表面再結合を抑制すると報告した。そこで本研究ではより詳細な検討を行うためp型SiCに対しても測定を行い, さらに数値解析により表面再結合速度を見積った。