2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2016年9月15日(木) 13:45 〜 19:00 C302 (日航30階鳳凰)

土田 秀一(電中研)、谷本 智(日産アーク)

17:00 〜 17:15

[15p-C302-12] 4H-SiC表面再結合の接触水溶液pH依存性

〇(M2)市川 義人1、加藤 正史1、市村 正也1、木本 恒暢2 (1.名工大、2.京都大工)

キーワード:SiC、表面再結合、pH

SiCは超高耐圧バイポーラデバイスもしくは水素生成用光電極などへの応用が期待されている。それらの応用においてキャリアライフタイムはデバイス性能を左右する重要な要素であり, また表面再結合はキャリアライフタイムに影響を与える。我々は以前、n型4H-SiCでは酸性の水溶液との接触が表面再結合を抑制すると報告した。そこで本研究ではより詳細な検討を行うためp型SiCに対しても測定を行い, さらに数値解析により表面再結合速度を見積った。