[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-C302-17] 高電圧・高速パルス発生を目指したSiC-pinダイオードの逆回復特性解析

〇白井 琢毬¹、岩室 憲幸¹、福田 憲司² (1.筑大電物、2.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、ダイオード、逆回復特性

本研究は加速器向け電源等に用いられる、超高電圧(~10 kV)・高速パルス(<5 ns)を生成するためのSiC-pinダイオードの素子設計指針を明確にすることを目的としている。今回は、上記SiC-pinダイオードの逆回復現象による高電圧・高速パルス電圧発生メカニズムをMixed Modeシミュレーションによって解析し、半導体素子内ドリフト層の設計の違いによる生成パルス特性依存性について検証する。