[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-C302-18] チャージインバランスを考慮したSiC Superjunction MOSFETのオン抵抗-素子耐圧向上の検討

〇田邉 三紀子¹、岩室 憲幸¹ (1.筑波大学)

キーワード：SiC、SJ-MOSFET

Superjunction(SJ)-MOSFET構造は通常のMOSFET構造よりも低オン抵抗化することができるデバイス構造である。しかし、p,n柱状層のCharge imbalance (CIB)によって大きく耐圧が劣化することが知られている。本研究では、4H-SiCを用いた7.2 kV耐圧SJ構造のn層に角度をつけることによって、CIBによる耐圧劣化を減少させて、さらに耐圧を維持しながら低オン抵抗化することが出来たので報告する。