The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15p-C302-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

Thu. Sep 15, 2016 1:45 PM - 7:00 PM C302 (Nikko Houou)

Hidekazu Tsuchida(CRIEPI), Satoshi Tanimoto(Nissan ARC)

3:30 PM - 3:45 PM

[15p-C302-6] 3C-SiC photoelectrode with solar to hydrogen energy conversion efficiency of 0.58 %

naoto ichikawa1, Masashi Kato1, Masaya Ichimura1 (1.NIT)

Keywords:SiC, photoelectrode, cocatalyst

3C-SiCは化学的に安定、可視光吸収可能と光電極材料として期待できる。我々は以前に表面n型層を形成したp型3C-SiC光電極の報告をした。今回我々はこの3C-SiC光電極にPt助触媒の担持を行い性能向上を図り、太陽光-水素エネルギー変換効率を見積もった。