[15p-C302-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15p-C302-7] Relationship between Luminescence from Single Photon Source Created near the Surface of 3C-SiC and Surface Treatments

〇Tomoya Honda^1,2, Shinobu Onoda², Yasuto Hijikata¹, Takeshi Ohshima² (1.Saitama Univ., 2.QST)

Keywords:silicon carbide, quantum photonics, single photon source

量子フォトニクスを炭化ケイ素(SiC)中の単一光子源(SPS)からの発光やスピンを制御することによって実現しようとする試みが行われている。最近では、構造は未同定であるがSiC表面近傍に高輝度なSPSの形成を確認できている。本研究では、SiCへの熱処理温度や雰囲気と表面SPSの発光特性の関係を調べた。測定結果から、酸素処理による表面SPSの発光強度の増加が判明した。講演では、表面SPSと表面状態の観点から形成メカニズムについて議論する。