[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-C302-9] 4H-SiCエピタキシャル層中におけるショックレー型積層欠陥と基底面転位構造の関係

〇(M1)飯島 彬文¹、須田 淳¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：炭化ケイ素、積層欠陥、基底面転位

SiC結晶中に存在する基底面転位(BPD)は、積層欠陥(SF)の形成核となる。SFの拡大形状は多岐にわたり存在するが、その起源は明らかでない。本研究ではPLイメージング法を用いて、元のBPDの構造とSFの拡大形状の関係について考察した。バーガースベクトル、転位線方向等を考えると、BPDの転位構造には72種類存在することを示し、SFの拡大形状を推測した。その拡大形状が実験結果と一致することを示す。