[15p-D63-1~18] 11.1 基礎物性

△ [15p-D63-12] FeSe_1-xTe_x薄膜の電気化学的エッチングによる超伝導転移温度制御

〇河野 駿介¹、浅見 大亮¹、鍋島 冬樹¹、今井 良宗¹、前田 京剛¹、上野 和紀¹ (1.東大院総合)

キーワード：超伝導

鉄系超伝導体のFeSeはバルクおよび数10 nmの厚膜において8 Kの超伝導転移温度（Tc）を示す。FeSe は SrTiO3上の単原子層膜で最大 109 K のTcが報告されており、また薄膜においても電気二重層トランジスタを用いた電気化学的なエッチングによりTcが約40 Kまで上昇することが報告されている。一方、FeSe0.8Te0.2はCaF2基板上においてTcが約23 Kになることが報告されており、Te置換による構造変化や圧縮歪の効果などがFeSeのTcを高める可能性が指摘されている。本研究ではFeSe, FeSe1-xTex薄膜の電気化学的なエッチングを行い、Tc の変化を評価したので報告する。