2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.1 基礎物性

[15p-D63-1~18] 11.1 基礎物性

2016年9月15日(木) 12:45 〜 17:45 D63 (万代島ビル6階D3)

堀井 滋(京大)、荻野 拓(産総研)、八巻 和宏(宇都宮大)

17:30 〜 17:45

[15p-D63-18] NaFを用いたフッ化処理によるA(O,F)BiS2(A = Bi, La, Pr)
超伝導体の作製

高橋 夏海1、長尾 雅則1、綿打 敏司1、田中 功1、高野 義彦2 (1.山梨大、2.物材機構)

キーワード:超伝導、BiS2系、フッ化

我々は、Bi2OS2にNaFを用いることで、Fを導入し、超伝導体Bi2(O,F)S2を作製することに成功した。そこで、他のBiS2系超伝導体に対しても、NaFを用いたフッ素導入の可能性について研究を行った。本研究では、REOBiS2(RE = La, Pr)についてNaFを用いたF導入を試み、400℃で熱処理することで、これに成功し、超伝導体RE(O,F)BiS2の作製に成功した。