[15p-P11-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[15p-P11-3] AuGe/Au積層膜のアニールによるGe結晶薄膜の作製(1)

〇阿久津 敏¹、神子 公男²、弓野 健太郎^1,3 (1.芝浦工大、2.東大生研、3.SITグリーンイノベーション研究センター)

キーワード：半導体、多結晶、薄膜

Ge多結晶薄膜を作製のために、Au薄膜上にGeを成膜したサンプルとAu薄膜上にAuとGeを同時に成膜したサンプルを用いて、MIC法（金属誘起結晶化法）によりGeの多結晶を作製し、結晶化の傾向を比較した。その結果AuGe/Auのサンプルの方が結晶化が進んだことが分かったのでそのことについて報告する。