[15p-P11-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[15p-P11-4] AuGe/Au積層膜のアニールによるGe結晶薄膜の作成（２）

〇(M1)熊谷 健太¹、神子 公男²、弓野 健太郎^1,3 (1.芝工大理工、2.東大生研、3.SITグリーン研)

キーワード：半導体、MIC法

本研究では、Au を用いた MIC 法による Ge の結晶化において、Ge 層 に Au を添加した場合の結晶化の初期過程について調べたので報告する。 今回の実験では、アニール処理を140℃、160℃で行い、ラマン分光法による測定と光学顕微鏡での観察による評価をした。