[15p-P11-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[15p-P11-5] AuとGeの同時スパッタによるGe薄膜の結晶化 (Ⅲ)

〇高鳥毛 怜¹、神子 公男²、弓野 健太郎^1,3 (1.芝浦工大、2.東大生研、3.SITグリーンイノベーション研究センター)

キーワード：半導体、薄膜、多結晶

AuとGeの同時スパッタにおいてRF電源の出力を調整して膜厚レートの結晶化へのレートを調査した。成膜時間は180秒、スパッタ時の基板は185℃に保持した。作製した薄膜はXRDとラマン分光法による評価を行った。