[15p-P12-1~4] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[15p-P12-2] ミストCVD法によるシリコン酸化膜の低温成膜

〇香取 重尊¹、平松 考樹¹、土居 真司¹ (1.津山工業高等専門学校)

キーワード：シリコン酸化膜、ミストCVD、低温成膜

二酸化ケイ素薄膜(SiO₂膜)はMOSトランジスタのゲート絶縁膜を代表とした様々な電子デバイスに幅広く使用され，近代の電子デバイス産業において絶縁膜として非常に重要な役割を果たしている．我々はポリシラザンとオゾンを用いた手法で，約200℃での成膜が可能であることを示してきた．本研究では，さらに低温での成膜を検討した．