[15p-P12-1~4] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[15p-P12-4] Si/Ge障壁構造を用いた高TCR素子の解析

〇小田 健志¹、宝田 隼¹、古川 昭雄¹ (1.東理大理工)

キーワード：抵抗温度係数