[15p-P3-1~32] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-10] スパッタ法により作製したV₆O₁₃薄膜の電気特性と電子構造

高橋 篤¹、丹野 友博¹、小林 正起²、蓑原 誠人²、堀場 弘司²、組頭 広志²、〇樋口 透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

キーワード：バナジウム酸化物V6O13、金属-絶縁体転移

本研究では、RFマグネトロンスパッタ法により、Al₂O₃基板上にV₆O₁₃薄膜を作製し、構造・電気特性を評価した。作製した膜は、c軸配向性を示し、低温域で金属-絶縁体転移の兆候を示す。Vは4価と5価の混合原子価状態を持ち、Fermi準位近傍には、VO₂と類似するV3dの上部・下部ハバードバンドを示した。