[15p-P3-1~32] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-25] 斜め入射堆積Ti薄膜の熱酸化による酸化チタン薄膜の作製II

〇安田 洋司¹、星 陽一² (1.神奈川県立産技短大、2.東京工芸大工)

キーワード：光触媒、酸化チタン、斜め入射堆積

我々はこの数年、酸化チタン膜の光触媒特性向上を目的として膜の微細構造制御に注目し検討を進めてきた。斜め入射堆積法を用いるとポーラスな膜が得られ実効的な表面積の向上や高い紫外線吸収率を達成してきたものの光触媒特性の顕著な向上は実現できなかった。以前の発表では、斜め入射体積したTi薄膜を大気中で熱酸化させルチル構造の膜が得られていた。光触媒特性が良いとされるアナターゼ単層の膜を得るには酸素供給量が重要であることから、今回酸素イオン照射下で熱酸化する手法を用いることでアナターゼ構造単層膜の成膜法について検討したので報告する。