[15p-P3-1~32] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-9] 価数制御したVO2薄膜の金属－絶縁体転移と電子構造

〇丹野 友博¹、土屋 敬志²、小林 正起³、簑原 誠人³、堀場 弘司³、組頭 広志³、樋口 透¹ (1.東理大理、2.物材機構、3.高エネ研)

キーワード：酸化物エレクトロニクス

VO2薄膜は、Vメタルターゲットと酸素ガスを用いた反応性RFマグネトロンスパッタ法により、基板温度700℃で成膜した。基板はAl2O3（0001）を使用した。酸素ガス流入量を変えて作製したVO2薄膜をXRD、電気抵抗の評価を行った。また、光電子分光とX線吸収分光により、VO2薄膜の金属－絶縁体転移前後の電子構造の変化を計測したので、報告する。