2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-A21-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年9月16日(金) 09:00 〜 12:15 A21 (メインホールA)

岩谷 素顕(名城大)、斎藤 義樹(豊田合成)

12:00 〜 12:15

[16a-A21-12] 窒化物半導体成長メカニズムの熱力学的考察

〇(M1)関口 一樹1、白川 裕規1、長川 健太1、洗平 昌晃1,2、寒川 義裕3、柿本 浩一3、白石 賢二1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.九大応力研)

キーワード:窒化物半導体、有機金属気相成長法、熱力学解析