[16a-A21-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-A21-9] Film formation process and crystal growth model of hexagonal boron nitride thin films

〇Naoki Umehara¹, Takaki Shimizu², Atsushi Masuda², Tetsuya Kouno², Hiroko Kominami², Kazuhiko Hara^1,3 (1.Shizuoka Univ., 2.Shizuoka Univ. GSIST, 3.Shizuoka Univ. RIE)

Keywords:hexagonal boron nitride, CVD, thin films

我々のグループでは，デバイス応用に向けた大面積h-BN薄膜の作製技術の確立に取り組んでおり，これまでにBCl₃とNH₃を原料とする化学気相法を用いたc面サファイア基板上への薄膜の作製を報告してきた．しかしながら，グラフェン系デバイスなどへの応用の観点からは，表面平坦性などの特性は不十分であり，更なる向上が求められる．本報告では同一条件で成長時間の異なる試料を複数作製し，表面形状および縦横方向の成長速度の変化を明らかにするとともに，結晶成長モデルについて検討した結果を報告する．