[16a-A21-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-A21-9] 六方晶窒化ホウ素薄膜の形成過程と結晶成長モデル

〇梅原 直己¹、清水 乙生²、増田 敦²、光野 徹也²、小南 裕子²、原 和彦^1,3 (1.静岡大創造大院、2.静岡大院工、3.静岡大電子研)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、化学気相法、薄膜

我々のグループでは，デバイス応用に向けた大面積h-BN薄膜の作製技術の確立に取り組んでおり，これまでにBCl₃とNH₃を原料とする化学気相法を用いたc面サファイア基板上への薄膜の作製を報告してきた．しかしながら，グラフェン系デバイスなどへの応用の観点からは，表面平坦性などの特性は不十分であり，更なる向上が求められる．本報告では同一条件で成長時間の異なる試料を複数作製し，表面形状および縦横方向の成長速度の変化を明らかにするとともに，結晶成長モデルについて検討した結果を報告する．