[16a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-A22-1] パワーデバイス用2インチ(001)β-Ga₂O₃基板の作製と評価

〇増井 建和¹、輿 公祥¹、渡辺 信也¹、倉又 朗人¹、山腰 茂伸¹ (1.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、パワーデバイス

次世代パワーデバイス材料の候補として、新しい半導体であるGa₂O₃に注目が集まっている。今回、パワーデバイス用基板として面方位が（001)面である2インチβ-Ga₂O₃基板の作製に成功したため報告する。バルク単結晶の育成はEFG法を用い、基板を、スライス、丸加工、べベル、ラップ、CMPの工程を経て作製した。基板には双晶欠陥がほとんどなく、X線回折のロッキングカーブの半値幅は34秒と良好な値であった。