9:30 AM - 9:45 AM
△ [16a-A22-3] Structure of Etch Pits in β-Ga2O3 (010) Single Crystals
Keywords:Ga2O3
酸化ガリウム (β-Ga2O3) はバンドギャップが4.8 eV のワイドギャップ半導体であり,次世代のパワーデバイスとして期待されている.我々は成長結晶の溝形欠陥と,それと異なるエッチピットを観察し報告したが,今回,様々な形状のエッチピットを観察し,起源を明らかにしたので報告する.
Oral presentation
Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"
Fri. Sep 16, 2016 9:00 AM - 11:45 AM A22 (Main Hall B)
Toshiyuki Kawaharamura(Kochi Univ. of Tech.)
9:30 AM - 9:45 AM
Keywords:Ga2O3