The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[16a-A22-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Sep 16, 2016 9:00 AM - 11:45 AM A22 (Main Hall B)

Toshiyuki Kawaharamura(Kochi Univ. of Tech.)

9:30 AM - 9:45 AM

[16a-A22-3] Structure of Etch Pits in β-Ga2O3 (010) Single Crystals

Tomoya Moribayashi1, Kenji Hanada1, Kimiyoshi Koshi2, Kohei Sasaki2, Akito Kuramata2, Osamu Ueda3, Makoto Kasu1 (1.Saga Univ., 2.Tamura Corp., 3.Kanazawa Inst.)

Keywords:Ga2O3

酸化ガリウム (β-Ga2O3) はバンドギャップが4.8 eV のワイドギャップ半導体であり,次世代のパワーデバイスとして期待されている.我々は成長結晶の溝形欠陥と,それと異なるエッチピットを観察し報告したが,今回,様々な形状のエッチピットを観察し,起源を明らかにしたので報告する.