[16a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16a-A22-3] β-Ga₂O₃ (010)単結晶のエッチピットの構造

〇森林 朋也¹、花田 賢志¹、輿 公祥²、佐々木 公平²、倉又 朗人²、上田 修³、嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.タムラ製作所、3.金沢工大)

キーワード：酸化ガリウム

酸化ガリウム (β-Ga₂O₃) はバンドギャップが4.8 eV のワイドギャップ半導体であり，次世代のパワーデバイスとして期待されている．我々は成長結晶の溝形欠陥と，それと異なるエッチピットを観察し報告したが，今回，様々な形状のエッチピットを観察し，起源を明らかにしたので報告する．