[16a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-A22-5] c面サファイア・オフ基板上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向性

〇中込 真二¹、國分 義弘¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ガリウム、オフ基板

本研究では、c面サファイアのオフ基板上にβ-Ga₂O₃薄膜を成膜して、その回転ドメインにどのような影響を及ぼすかを実験的に検討した。β-Ga₂O₃膜は(-201)配向しており、β-Ga₂O₃ のa軸の(-201)面への投影が基板c軸の傾いた方向と同じ側にくるドメインの方が多数形成されることが分かった。