[16a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-A22-6] ミストCVD法によるε-Ga₂O₃エピタキシャル成長

〇西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD、ヘテロエピタキシー