[16a-A24-1~12] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[16a-A24-12] Development of Simple Fabrication Process of Back Contact Hetero-Junction Solar cells by Plasma Ion Implantation -- Control of Conduction Type of a-Si/c-Si Electrodes

〇Koichi Koyama¹, Noboru Yamaguchi², Miwa Tanaka², Hideo Suzuki², Keisuke Ohdaira¹, Hideki Matsumura¹ (1.JAIST, 2.ULVAC)

Keywords:heterojunction solar cells, plasma ion doping, Cat-CVD

我々は裏面接合型a-Si/c-Si ヘテロ接合太陽電池の裏面p,n層形成簡便化のため、プラズマイオン注入を用いたドーピング実験を行ってきた。これまでに、i-a-Si/a-Siへのイオン注入後アニール処理により、界面再結合速度がイオン注入前の値(最大約10 cm/s)に戻ることを確認している。実際に裏面電極型a-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池のp,n領域形成を考えた場合、p+-a-Si膜を全面に堆積し、その後、部分的にn型化する手法がより能率的であるものと考えられる。そこで、本研究ではp+-a-SiにPイオンを注入することでn型化とする、カウンタードーピングを検討したので報告する。