[16a-A24-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[16a-A24-12] イオン注入を用いた裏面電極ヘテロ接合太陽電池製造工程の簡略化 ―― a-Si/c-Siパシベーション電極の伝導型制御

〇小山 晃一¹、山口 昇²、田中 美和²、鈴木 英夫²、大平 圭介¹、松村 英樹¹ (1.北陸先端大、2.株式会社アルバック)

キーワード：ヘテロ接合太陽電池、プラズマドーピング、Cat-CVD

我々は裏面接合型a-Si/c-Si ヘテロ接合太陽電池の裏面p,n層形成簡便化のため、プラズマイオン注入を用いたドーピング実験を行ってきた。これまでに、i-a-Si/a-Siへのイオン注入後アニール処理により、界面再結合速度がイオン注入前の値(最大約10 cm/s)に戻ることを確認している。実際に裏面電極型a-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池のp,n領域形成を考えた場合、p+-a-Si膜を全面に堆積し、その後、部分的にn型化する手法がより能率的であるものと考えられる。そこで、本研究ではp+-a-SiにPイオンを注入することでn型化とする、カウンタードーピングを検討したので報告する。