[16a-A24-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[16a-A24-3] Si/SiO₂超格子マイクロディスク太陽電池の電気的特性

〇山田 繁¹、白柳 裕介¹、成原 輝彦¹、熊田 昌年¹、市川 幸美^1,2、小長井 誠^1,2、宮島 晋介³ (1.科学技術振興機構、2.東京都市大総研、3.東工大工学院)

キーワード：太陽電池、超格子

フォトリソグラフィによって、Si/SiO₂超格子マイクロディスク太陽電池を作製し、光照射時の電気的特性を測定したところ、637 Vという高い開放電圧が得られた。また、分光感度の測定からも、バンドギャップのシフトが確認された。