[16a-A25-1~16] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[16a-A25-10] スパッタ成膜 TeO_xにおける抵抗変化現象

〇佐伯 鷹平¹、中岡 俊裕¹ (1.上智理工)

キーワード：抵抗変化メモリ、カルコゲナイド、酸化物