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一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[16a-A25-1~16] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2016年9月16日(金) 09:00 〜 13:15 A25 (202)

鈴木健伸(豊田工大)、斎藤全(愛媛大)

11:45 〜 12:00

[16a-A25-11] 電極フリーGe-Sb-Te膜における円状Agフィラメント成長

〇鹿倉直樹¹、新井浩平¹、今西佑典¹、中岡俊裕¹ (1.上智理工)

キーワード：抵抗変化メモリ、カルコゲナイド、Agフィラメント