[16a-A25-1~16] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[16a-A25-11] 電極フリーGe-Sb-Te膜における円状Agフィラメント成長

〇鹿倉 直樹¹、新井 浩平¹、今西 佑典¹、中岡 俊裕¹ (1.上智理工)

キーワード：抵抗変化メモリ、カルコゲナイド、Agフィラメント