2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[16a-A25-1~16] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2016年9月16日(金) 09:00 〜 13:15 A25 (202)

鈴木 健伸(豊田工大)、斎藤 全(愛媛大)

12:30 〜 12:45

[16a-A25-14] 安定化アモルファスSe膜におけるドープ機構

田中 啓司1 (1.北大工)

キーワード:アモルファス、セレン、ビジコン

超高感度ビジコンやx線撮像素子へのa-Se膜の応用が進展しているが,それらに用いられている安定化a-Se膜のドープ機構(おおよそ0.2% Asと20ppm Clを含有)は未解決である.従来の推論は,未結合種の密度がドーパントによって変化するというものであるが,a-Seに荷電欠陥モデルを適用することには問題がありそうだし,0.2%:20ppmの比の意味も説明できていない.
ここでは,いくつかのSeクラスターのHOMO-LUMOエネルギーなどを第一原理計算することにより,ドープ機構に関する新モデルを提案する.